化合物半導体の製品開発（GaNパワー半導体）
| 求人番号 | K-2025102801 |
|---|---|
| 大分類 | 技術部 |
| 仕事内容 | ＜ご担当いただく業務＞ シリコン半導体に代わる窒化ガリウムパワー半導体の研究・開発業務となります。 |
| 必須スキル | 半導体デバイス開発またはプロセスインテグレーションの実務経験がある |
| 歓迎スキル | 窒化ガリウムに関する知見がある |
| 勤務地 | 神奈川県川崎市幸区 |
| アクセス | 川崎駅からバス10分 |
| 給与 | 月給 450,000～550,000円 ・想定年収 5,400,000～6,600,000円 ・みなし残業代 75,531～92,313円 |
| 勤務時間 | 8:30～17:15 実働7.75時間＋休憩1時間 |
| 休日 | ・完全週休2日制 ・年間休日120日以上 ・夏季休暇 ・年末年始休暇 ・ゴールデンウイーク休暇 |
| 通勤費 | 交通費別途支給（月5万円まで） |
| 期間 | 即～長期 |
| 諸手当・福利厚生 | ◇社会保険完備 ◇交通費支給あり ◇昇給（年1回）制度 ◇ミニボーナス（年2回）支給制度 ◇転居支援金あり（地方都市の場合） ◇勤続10年表彰あり ◇無料でeラーニングを受講可能 ◇社員同士の親睦を深める社内イベントを多数実施 |
| 備考 |
